Overlay, Critical dimension

포토 공정이 끝난 후, 패턴이 제대로 그려졌는지 확인할 때, 주사전자현미경(SEM)을 이용해 관찰할 수 있다. 기판 표면에 전자빔을 쏘고, 전자빔을 받은 기판 표면의 2차 전자들이 반응하게 된다. 이것을 감지하여 이미지형태로 나타내는 것이 SEM의 역할이다.

 

포토 공정에서 Overlay(오버레이)와 Critical dimension(임계크기)은 중요 이슈다.

 

Overlay는 기판의 층들이 위아래로 얼마나 잘 정렬되어 있느냐를 말한다. 반도체 device를 만들기 위해 여러 층들이 쌓인다. 이때 각각의 층들이 얼마나 잘 정렬되어 있는지가 Overlay다. 이를 위해 마스크 가장자리에 십자가 모양의 align key가 그려져 이를 이용해 기판과의 정렬을 맞출 수 있다.

 

 

Critical dimension은 패턴의 폭을 말한다. 즉, 현상된 PR들 사이의 거리를 의미한다. 이 CD의 크기가 일정해야 정확하고 미세한 패턴 형성이 가능하다. 또한 CD의 크기가 작을수록 더 미세한 패턴 형성이 가능하다.

 

[반도체 공정] 포토 공정(Photolithography 2)